Giới thiệu
Đào tạo
Nghiên cứu khoa học
Cán bộ
Cơ sở vật chất
Lịch sử:
- Thành lập năm 1970 với tên là Bộ môn Vật lý Chất rắn
- Năm 1996 đổi tên thành Bộ môn Vật lý và Công nghệ Vật liệu Điện tử
- Năm 2004 đổi tên thành Bộ môn Vật liệu Điện tử
Thành tích và khen thưởng:
- 1 Huân chương Lao động hạng Ba năm 2000 tặng thưởng cho tập thể Bộ môn
- 3 Huân chương Lao động hạng Ba tặng thưởng cho 3 thành viên Bộ môn
- 8 Bằng khen của Bộ, 5 Huân chương, Huy chương kháng chiến
- 2 Bằng khen của Thủ tướng, 3 Bằng khen Lao động sáng tạo
- 3 Nhà giáo ưu tú, 4 Huy chương vì sự nghiệp giáo dục
Lãnh đạo Bộ môn qua các thời kỳ:
Nhiệm kỳ 2008-2013
Trưởng Bộ môn: PGS. TS. Nguyễn Hữu Lâm
Phó trưởng Bộ môn: PGS. TS. Lê Tuấn
Nhiệm kỳ 2004-2008
Trưởng Bộ môn: PGS. Phan Quốc Phô
Phó trưởng Bộ môn: TS. Nguyễn Hữu Lâm
Nhiệm kỳ 2000-2004
Trưởng Bộ môn: PGS. Nguyễn Đức Chiến
Phó trưởng Bộ môn: PGS. Võ Thạch Sơn
Nhiệm kỳ 1996-2000
Trưởng Bộ môn: GS. Phùng Hồ
Phó trưởng Bộ môn: TS. Phan Quốc Phô
Trước năm 1996
Trưởng Bộ môn: GS. TSKH. Vũ Đình Cự
Các học phần giảng dạy đại học
Các học phần giảng dạy Sau đại học
Sách và tài liệu biên soạn
Đào tạo các chương trình khác
Các học phần giảng dạy Đại học:
STT | Mã HP | Tên HP | Số TC |
1 | PH3070 | Kỹ thuật chân không (Vacuum Technique) | 2(2-1-0-4) |
2 | PH3080 | Cảm biến (Sensors) | 2(2-1-0-4) |
3 | PH3110 | Vật lý chất rắn đại cương (Introduction to Solid State of Physics) | 2(2-1-0-4) |
4 | PH3150 | Thực tập nhận thức (Practical Course) | 3(0-0-6-12) |
5 | PH3200 | Quang ĐT & thông tin quang sợi (Optoelectronics and Fiber Optic Communication) | 2(2-1-0.5-4) |
6 | PH3220 | Vật lý bán dẫn (Semiconductor Physics) | 2(2-1-0.5-4) |
7 | PH3170 | Tiếng Anh chuyên ngành Vật lý (English for Physics) | 2(2-1-0-4) |
8 | PH3330 | Vật lý điện tử (Electro-Physcal) | 2(2-1-0-4) |
9 | PH4010 | Vật liệu bán dẫn (Semiconductor Materials) | 2(2-1-0.5-4) |
10 | PH4030 | Thực tập kỹ thuật (Technical Practice) | 3(0-0-6-12) |
11 | PH4060 | Công nghệ vật liệu (Materials Technology) | 2(2-1-0.5-4) |
12 | PH4070 | Công nghệ vi điện tử (Microelectronic Technology) | 2(2-1-0.5-4) |
13 | PH4040 | Vật lý và kỹ thuật màng mỏng (Physics and Technology of Thin Film ) | 2(2-1-0.5-4) |
14 | PH4050 | Laser (Laser) | 2(2-1-0.5-4) |
15 | PH4090 | Các cấu trúc nano (Nano Structures) | 2(2-1-0.5-4) |
16 | PH4100 | Công nghệ và linh kiện MEMS (MEMS Devices and Technology) | 2(2-1-0.5-4) |
17 | PH4110 | Hóa lý chất rắn (Chemi-Physical Solid State) | 2(2-1-0.5-4) |
18 | PH4120 | Mô phỏng linh kiện và quá trình BD (Modelling of Semiconductor Devices and Process) | 2(2-1-0.5-4) |
19 | PH4130 | Vật liệu polyme (Polymer Materials) | 2(2-1-0.5-4) |
20 | PH5010 | Thực tập tốt nghiệp (Final Intership) | 4(0-0-8-16) |
21 | PH5110 | Đồ án tốt nghiệp (Diploma Project) | 10(0-0-20-40) |
Các học phần giảng dạy Sau Đại học:
STT | Mã HP | Tên HP | Số TC |
1 |
| Vật lý chất rắn nâng cao (Advanced Chemi-Physical) | 2 |
2 |
| Công nghệ chế tạo vật liệu có cấu trúc nano | 2 |
3 |
| Cảm biến trong phân tích và đo lường vật lý (Sensors in Physical Analyses and Measurement) | 2 |
4 |
| Quy hoạch thực nghiệm vật lý | 2 |
5 |
| Khoa học vật liệu (Materials Science) | 3 |
6 |
| Công nghệ sol-gel (Sol-gel Technology) | 2 |
7 |
| Luận án tốt nghiệp Thạc sĩ (Diploma Thesis) | 15 |
Sách và tài liệu biên soạn:
- Phan Quốc Phô, Nguyễn Đức Chiến, Giáo trình Cảm biến, NXB Khoa học kỹ thuật, 2000 (tái bản lần 6 năm 2007).
- Phan Quốc Phô, Giáo trình Windows Word Excel, NXB Khoa học kỹ thuật, 1997.
- Phùng Hồ, Phan Quốc Phô, Giáo trình Vật lý bán dẫn, NXB Khoa học kỹ thuật, 2001.
- Phùng Hồ, Giáo trình Vật lý điện tử, NXB Khoa học kỹ thuật, 2001.
- Phùng Hồ, Phan Quốc Phô, Giáo trình Vật liệu bán dẫn, NXB Khoa học kỹ thuật, 2007.
- Đỗ Ngọc Uấn, Giáo trình Vật lý chất rắn đại cương, NXB Khoa học kỹ thuật, 2003.
- Nguyễn Công Vân, Trần Văn Quỳnh, Công nghệ vật liệu điện tử, NXB Khoa học kỹ thuật, 2006.
- Nguyễn Công Vân, Kỹ thuật nhiệt mặt trời và ứng dụng, NXB Khoa học kỹ thuật, 2006.
- Nguyễn Đức Chiến, Nguyễn Văn Hiếu, Giáo trình Công nghệ chế tạo mạch vi điện tử, NXB Bách khoa, 2007.
- Lê Tuấn, Hố lượng tử - vật lý và điện tử học của các hệ hai chiều, NXB Khoa học kỹ thuật, 2002.
- Nguyễn Quang Báu, Đỗ Quốc Hùng, Vũ Văn Hùng, Lê Tuấn, Lý thuyết bán dẫn, NXB Đại học Quốc gia Hà Nội, 2004.
- Lê Tuấn, Unix, NXB Khoa học kỹ thuật, 2003.
Đào tạo các chương trình khác:
Bên cạnh việc giảng dạy cho sinh viên đại học, sau đại học ngành Vật lý kỹ thuật của Trường ĐHBK Hà Nội, các cán bộ của Bộ môn còn đảm nhiệm chính cho giảng dạy các học phần của Chương trình kỹ sư tài năng, Chương trình tiên tiến chuyên ngành Vật liệu điện tử và công nghệ nano; tham gia giảng dạy các chương trình Kỹ sư chất lượng cao, các chương trình hợp tác quốc tế ITP, chương trình hợp tác Việt - Nhật và Thạc sĩ một số chuyên ngành trong Trường ĐHBK Hà Nội; tham gia giảng dạy Vật lý đại cương cho sinh viên đại học, cao đẳng, tại chức.
Các hướng nghiên cứu
Các đề tài đã thực hiện
Các đề tài đang thực hiện
Sản phẩm và chuyển giao công nghệ
Danh mục các công trình khoa học
Các hướng nghiên cứu
- Vật lý và công nghệ vật liệu điện tử
- Nghiên cứu và ứng dụng vật liệu có cấu trúc nano
- Vật liệu gốm dẫn điện, polyme dẫn
- Nghiên cứu chế tạo và ứng dụng các loại cảm biến
- Mô phỏng các cấu trúc thấp chiều
Các đề tài đã hoàn thành
- Công nghệ chế tạo bản selen in điện: Đáp ứng nhu cầu trong nước về bản selen dùng trong kỹ thuật in opxet
- Kỹ thuật chụp ảnh Rơnghen tĩnh điện: Triển khai ứng dụng tại 10 bệnh viện
- Vật liệu nhạy quang đa thành phần: Chế tạo thành công các phần tử nhạy quang dùng trong các máy sao chụp tự động
Các đề tài đang thực hiện
- Mã số: KC02....: Nghiên cứu chế tạo cảm biến trên cơ sở vật liệu micro –nano và thiết bị kèm theo để kiểm tra một số thông số quan trọng của môi trường khí và nước.
Chủ nhiệm đề tài: GS Nguyễn Đức Chiến
Thời gian thực hiện: 2007-2009
- Mã số: KHCB 404806: Vật liệu dẫn điện bằng ion nhanh cấu trúc nano trên cơ sở ôxit Ceri và Bismut Vanadate ứng dụng trong các linh kiện điện hóa
Chủ nhiệm đề tài: PGS. Phan Quốc Phô
Thời gian thực hiện: 2006-2008
- Đề tài theo Nghị định thư Việt Nam-Italy: Tổng hợp và xử lý các vật liệu nano cho các ứng dụng chế tạo cảm biến, quang điện tử và quang tử.
Chủ nhiệm đề tài: GS Nguyễn Đức Chiến
Thời gian thực hiện: 2006-2008
- Đề tài trong Dự án VLIR: Cảm biến sinh học trên cơ sở màng polyme dẫn ứng dụng trong môi trường và y tế
Chủ nhiệm đề tài: TS. Trương Thị Ngọc Liên
Thời gian thực hiện: 2005-2008
- Mã số: B2008-01-186: Nghiên cứu chế tạo vật liệu nhớ hình dạng màng mỏng bằng phương pháp phún xạ
Chủ nhiệm đề tài: TS. Nguyễn Hữu Lâm
Thời gian thực hiện: 2008-2009
* Bên cạnh các đề tài đang triển khai, nhiều hướng nghiên cứu khác đang được các cán bộ của Bộ môn thực hiện:
- Cảm biến khí trên cơ sở vật liệu gốm dẫn điện họ BIMEVOX (Bismut Metal - Co, Cu, Zn - Vanadi Oxide) (Liên hệ: PGS. TS. Phan Quốc Phô);
- Cảm biến trên cơ sở vật liệu có cấu trúc nano (Liên hệ: PGS. TS. Nguyễn Đức Chiến);
- Nghiên cứu chế tạo vật liệu và linh kiện phát quang (Liên hệ: PGS. TS. Nguyễn Đức Chiến);
- Mô phỏng các cấu trúc thấp chiều (giếng, dây và chấm lượng tử) (Liên hệ: TS. Lê Tuấn);
- Nghiên cứu chế tạo ống nano TiO 2 ứng dụng trong quang xúc tác và cảm biến khí (Liên hệ: TS. Đặng Đức Vượng);
- Cảm biến khí trên cơ sở vật liệu oxide kim loại bán dẫn cấu trúc nano và vật liệu composite SnO 2, TiO 2 pha ống nano carbon (Liên hệ: TS. Đặng Đức Vượng);
- Cảm biến sinh học trên cơ sở polymer dẫn ứng dụng trong y tế và môi trường (Liên hệ: TS. Trương Thị Ngọc Liên);
- Chế tạo ống carbon có kích thước nano (Carbon nanotube - CNT) và một số ứng dụng (Liên hệ: TS. Nguyễn Hữu Lâm);
- Nghiên cứu đặc tính phát xạ điện tử của ống nano carbon (Liên hệ: TS. Nguyễn Hữu Lâm);
- Chế tạo thiết bị vật lý sử dụng trong giảng dạy và nghiên cứu (Liên hệ: ThS. Phí Văn Toàn);
Sản phẩm và chuyển giao công nghệ
Trong giai đoạn trước đây, các cán bộ của Bộ môn đã thực hiện chế tạo nhiều sản phẩm khoa học như: bản selen in điện sử dụng trong in opxet, phim chụp Rơghen dùng trong y tế và vật liệu nhạy quang đa thành phần. Hiện nay, một số sản phẩm như cảm biến báo cháy, báo nồng độ cồn, khí gas và các dụng cụ thí nghiệm vật lý đang được triển khai chế tạo.
Danh mục các công trình khoa học tiêu biểu
- Gas Sensing Characteristics of Polyaniline-Single Wall Carbon Nanotube Composites, Duong Ngoc Huyen, Nguyen Duc Chien, Journal of Korean Physical Society, Vol 52, No.5, (2008) 1564.
- Inclusion of SWCNTs in Nb/Pt co-doped TiO2 thin-film sensor for ethanol vapor detection, Nguyen Van Hieu, Nguyen Van Duy, Pham Thanh Huy, Nguyen Duc Chien, Physica E 40, (2008) 2950-2958.
- Highly sensitive thin film NH3 gas sensor operating at room temperature based on SnO2/MWCNTs composite, Nguyen Van Hieu, Luong Thi Bich Thuy, Nguyen Duc Chien, Sensors and Actuators B 129, (2008) 888-895.
- Low-temperature growth and ethanol sensing characteristics of quasi-one-dimensional ZnO nanostructures, Nguyen Van Hieu, Nguyen Duc Chien,Physica B 403, (2008) 50-56.
- Temperature-Controlled Catalytic Growth and Photoluminescence Properties of ZnO Nanostructures, P.T. Huy, T.T. An, N.D. Chien, Dojin Kim, Journal of Advanced Materials Research, Vol. 31 (2008) 68-70.
- Mn, Cu Doping and Optical Properties of Highly Crystalline Ultralong ZnS Nanowires, N.D. Chien, H.V. Chung, P.T. Huy, D. Kim, and M. Ferrari, Journal of Advanced Materials Research, Vol. 31 (2008) 114-116.
- Selective Si growth on partially desorbed SiO2/Si(001), Nguyen. H. Lam, C. Renard, V. Yam, F. Fossard, D. Debarre, D. Bouchier, Surfaces Superlattices and Microstructures, (2008).
- Electron mobility in Gaussian heavily doped ZnO surface quantum wells, Doan Nhat Quang, Le Tuan, Nguyen Thanh Tien, Physical Review B, 77 (2008) 125326.
- Synthesis of multi-walled carbon nanotubes for NH3 gas detection, Lam. H. Nguyen, T. V. Phi, P. Q. Phan, H. N. Vu, C. Nguyen-Duc, and F. Fossard, Physica E, 37(2007)54.
- Selective Epitaxial Growth of Si and Relaxed Ge By UHV-CVD in Si(001) Windows, Frédéric Fossard, Mathieu Halbwax, Vy Yam, Huu-Lam Nguyen, Véronique Mathet, Davide Cammilleri, Dominique Débarre, Jacques Boulmer, and D. Bouchier, ECS Transactions, Vol 3, 7 (2006) 593
- Some Insights into the Relaxation Mechanisms of Germanium Growing on (001) Si by Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition, Daniel Bouchier, Vy Yam, Mathieu Halbwax, Lam Nguyen, Dominique Debarre, and Frédéric Fossard, ECS Transactions, Vol 3, 7 (2006) 569.
- Kinetics of selective epitaxial growth of Si and relaxed Ge by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition in Si(001) windows, M. Halbwax, Lam H. Nguyen, Frédéric Fossard, X. Le Roux, V. Mathet, V. Yam, Dao Tran Cao and D. Bouchier, Materials Science in Semiconductor Processing, 9 (2006) 460
- Effect of Yb3+ concentration on Er3+ luminescence properties of sol-gel derived silica-alumina xerogels, K. Tran Ngoc, H. Pham Thanh, C. Nguyen Duc, C. Armellini, A. Chiasera, M. Ferrari, Y. Jestin, M. Montagna, E. Moser, S. Pelli and G.C. Righini, Optoelectronic Letters, Vol. 2, No. 5, Sep. 2006, pp.354-357.
- Detection of toxic compounds in real water samples using a conductometric tyrosinase biosensor, Mai Anh Tuan, Sergei V.Dzyadevych, Nicolas Prieur, Nguyen Duc Chien, Pham Duc Thanh, Jean-Marc Chovelon, Nicole Jaffrezic Renault, Materials Science and Engineering C, 26 (2006), 453–456.
- Structural and optical properties of Si-nanoclusters embedded in silicon dioxide, P. T. Huy, V. V. Thu and N. D. Chien, Physica B, 376-377, 2006, pp. 868-871.
- Admittance spectroscopy of traps at the interfaces of (100)Si with Al2O3, ZrO2 and HfO2, L.Truong, Y.G.Fedorenko, V.V.Afanas'ev, and A. Stesmans, Microelectron. Reliab, vol 45/5-6, p 823-826, (2005).
- Impact of nitrogen incorporation on interface states in (100)Si/HfO2, Y.G.Fedorenko, L.Truong, V.V.Afanas'ev, and A. Stesmans, Microelectron. Reliab, 45, p802-805, (2005).
- Effect of interlayer composition on passivation of (100)Si/HfO2 interface states by hydrogen, L.Truong, Y.G.Fedorenko, V.V.Afanas'ev, and A. Stesmans, Materials Science and Engineering B, vol 118, p197-200, (2005).
- Impact of nitrogen incorporation on interface states in Si(100)/HfO2, Y.G.Fedorenko, L.Truong, V.V.Afanas'ev, and A. Stesmans, Journal of Applied Physics, 98, 123703, (2005).
- Kinetic formation and optical properties of Ge/Si hut clusters grown by UHV-CVD, T.K. Nguyen-Duc, V. Le Thanh, Lam. H. Nguyen, F. A. d’Avitaya, and J. Derrien, Materials Science in Semiconductor Processing, 8 (2005) 41.
- UHV-CVD growth anh annealing of thin fully relaxed Ge films on Si(001), M. Halbwax, M. Rouviere, Y. Zeng, D.Débarre, Lam. H. Nguyen, J-L. Cercus, C. Clerc, V. Yam, S. Laval, E. Cassan, and D. Bouchier, Optical Materials, 27 (2005) 822.
- Kinetics of Ge growth at low temperatureon Si(001) by UHV-CVD, M. Halbwax, D. Bouchier, V. Yam, D.Debarre, Lam H. Nguyen , Y. Zheng, P. Rosner, M. Benamara, and H. P. Strunk, and C. Clerc, Journal of Applied Physics, 97 (2005) 64907
- Role of point defects on the optical properties of self-assembled Ge/Si hut clusters, T.K. Nguyen-Duc, V. Le Thanh, Lam. H. Nguyen, P. Boucaud, V. Yam, D. Bouchier, F. A. d’Avitaya, and J. Derrien, Journal of Crystal Growth, 275 (2005) 1287
- Interface state energy distribution in (100)Si/HfO2, Y.G.Fedorenko, L.Truong, V.V.Afanas'ev, and A. Stesmans, Materials Science in Semiconductor Processing, 7, p185-189, (2004).
- Synthesis of Bi2MexV1-xO5,5-1,5x (Me: Co, Cu) by the citrate gel method, Hanh Nguyen, Pho Phan Quoc, Linh Dao Viet, Chinh Huynh Dang, Adv. In Tech. of Mat. And Mat. Proc. J. (ATM), Vol. 6 [2] 176-179 (2004).
- Energy distribution of the (100)Si/HfO2 interface states, Y.G.Fedorenko, L.Truong, V.V.Afanas'ev, and A. Stesmans, Appl. Phys. Lett., 84, p4771-4773, (2004).
- Formation and optical properties of Ge quantum dots selectively grown on patterned Si(001) substrates, Lam. H. Nguyen, V. Le Thanh, V. Yam, D. Débarre, M. Halbwax, and D. Bouchier, Physica Status Solidi (a), 201 (2004) 353
- Selective epitaxial growth of Ge quantum dots on patterned SiO2/Si(001) surfaces, Lam. H. Nguyen, V. Le Thanh, D. Débarre, V. Yam, M. Halbwax, M. El Kurdi, D. Bouchier, P. Rosner, M. Becker, M. Benamara, et H. P. Strunk, Applied Surface Science, 224 (2004) 134.
- Kinetics of the heteroepitaxial growth of Ge layer at low temperature on Si(001) in UHV-CVD, M. Halbwax, V. Yam, C. Clerc, Y. Zheng, D.Débarre, Lam. H. Nguyen, and D. Bouchier, Physica Status Solidi (a), 201 (2004) 329.
- Growth and optical properties of Ge/Si quantum dots formed on patterned SiO2/Si(001) substrates, Lam. H. Nguyen, T. K. Nguyen-Duc, V. Le Thanh, F. A. d’Avitaya, and J. Derrien, Physica E, 23 (2004) 471.
- Formation and properties of selectively grown Ge/Si quantum dots, Lam. H. Nguyen, V. Le Thanh, M. Halbwax, D. Débarre, V. Yam, F. Fossard, P. Boucaud, F. Meyer, and D. Bouchier, Supperlattices and Microstructures, 36 (2004) 193.
- Selective growth of Ge quantum dots on chemically prepared SiO2/Si(001) surfaces, Lam. H. Nguyen, V. Le Thanh, D. Débarre, V. Yam and D. Bouchier, Material Science and Engineering B, 101 (2003) 199.
- Vertical ordering in multilayers of self-assembled Ge/Si(001) quantum dots, V. Le Thanh, V. Yam, Lam. H. Nguyen, Y. Zheng, P. Boucaud, D. Débarre, and D. Bouchier, Journal of Vacuum Science and Technology B, 20 (2002) 1259.
Danh sách cán bộ của Bộ môn Vật liệu điện tử tính đến 1 tháng 6 năm 2012
Hiện nay Bộ môn có tổng số 14 cán bộ, với: 6 tiến sỹ, 6 thạc sỹ, 1 giáo sư. Bộ môn Vật liệu điện tử có chức năng giảng dạy Vật lý cho sinh viên toàn trường, sinh viên chuyên ngành, các chương trình đào tạo, tham gia đào tạo Thạc sĩ, Tiến sĩ.
STT | Ảnh cán bộ | Họ và tên | Chức danh khoa học | ĐT liên hệ |
1 |
| GS - TS | 04-38 69 34 98 | |
2 |  | TS | 04-38 69 22 23 | |
3 |
| TS | 04-38 69 22 23 | |
4 |
| PGS-TS | 04-38 68 25 40 | |
5 |
| TS | 04-38 69 22 23 | |
6 |
| PGS - TS | 04-38 69 22 23 | |
7 |
| ThS | 04-38 69 22 23 | |
8 |
| PVGD - ThS | 04-38 69 22 23 | |
9 |
| ThS | 04-38 69 22 23 | |
10 |
| NCS | 04-38 69 22 23 | |
11 |
| TS | 04-38 69 22 23 | |
| 12 |  | Đỗ Phúc Hải | TS | 04-38 69 22 23 |
| 13 | Đỗ Đức Thọ | TS | 04-38 69 22 23 | |
14 |  | Th.S | 04-38 69 22 23 | |
15 |  | Th.S | 04-38 69 22 23 |
Xây dựng cơ sở vật chất
Cơ sở vật chất của bộ môn trong 5 năm tới phải đảm bảo đảm đương tốt nhiệm vụ đào tạo sinh viên đại học và sau đại học chuyên ngành vật liệu điện tử, đồng thời triển khai các đề tài về vật liệu ở mức độ nghiên cứu cơ bản và nghiên cứu ứng dụng. Bộ môn dự kiến sẽ xây dựng 2 phòng thí nghiệm trong giai đoạn 2005-2010 như sau:
a- Phòng thực tập chuyên đề cho sinh viên
Mục tiêu: Phòng thực tập chuyên đề cho sinh viên phải đảm bảo cho việc triển khai các bài thực tập vật lý và các bài thí nghiệm của tất cả các môn học của chuyên ngành vật liệu điện tử.
b- Phòng thí nghiệm Vật liệu và linh kiện nano
Mục tiêu: từ nay đến năm 2010, xây dựng cơ sở vật chất ban đầu cho phòng thí nghiệm vật liệu và linh kiện nano. Trong giai đoạn này, cố gắng trang bị các thiết bị công nghệ, xây dựng một số hệ đo tính chất của vật liệu và hình thành các nhóm nghiên cứu có định hướng trong lĩnh vực vật liệu điện tử nói chung và vật liệu và linh kiện nano nói riêng.
Để thực hiện được mục tiêu này, bộ môn đề nghị Viện giao cho bộ môn quản lý tất cả các thiết bị công nghệ trong dự án Ngân hàng Thế giới. Mặt khác, dựa vào lực lượng cán bộ và các đề tài, bộ môn sẽ triển khai xây dựng các hệ đo nhằm phục vụ mục đích trước mắt là thực hiện các đề tài hiện có đồng thời có tính đến việc mở rộng khả năng ứng dụng các hệ này để triển khai các nghiên cứu sâu hơn trong lĩnh vực vật liệu điện tử.
Thiết bị thí nghiệm: Xem chi tiết tại đây
1. Máy phún xạ magnetron (DC/RF magnetron sputter) (Chi tiết)
2. Máy bốc bay bằng chùm điện tử (E-beam Evaporator) (Chi tiết)
3. Máy bốc bay nhiệt (Thermal Evaporator) (Chi tiết)
4. Hệ lò nhiệt độ cao (High temperature furnace) (Chi tiết)
5. Hệ potentionstat (Potentionstat) (Chi tiết)
6. Máy phun phủ tĩnh điện (Electrostatic Spray Deposition) (Chi tiết)